Твердотельные накопители SSD FormulaTV

Форм-фактор накопителя: M.2 2280 Номинальный объем, ТБ: 4 Тип памяти: V-NAND TLC Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7450 Максимальная скорость записи, МБ/с: 6900

Форм-фактор накопителя: M.2 2280 Номинальный объем, ТБ: 4 Тип памяти: V-NAND TLC Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7450 Максимальная скорость записи, МБ/с: 6900

Форм-фактор накопителя: M.2 2280 Номинальный объем, ТБ: 4 Тип памяти: 3D NAND TLC Контроллер: Phison E18 Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7300 Максимальная скорость записи, МБ/с: 7000

Форм-фактор накопителя: M.2 2280 Номинальный объем, ТБ: 4 Тип памяти: 3D NAND Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7250 Максимальная скорость записи, МБ/с: 6300

Форм-фактор накопителя: M.2 2280 Номинальный объем, ТБ: 4 Тип памяти: 3D NAND TLC Контроллер: Phison E18 Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7000 Максимальная скорость записи, МБ/с: 7000

Форм-фактор накопителя: M.2 2280 Номинальный объем, ТБ: 4 Тип памяти: 3D NAND TLC Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7400 Максимальная скорость записи, МБ/с: 6600

Форм-фактор накопителя: M.2 2280 Номинальный объем, ТБ: 4 Тип памяти: 3D NAND Максимальная скорость чтения, МБ/с: 2400 Максимальная скорость записи, МБ/с: 1800

Форм-фактор накопителя: M.2 2280 Номинальный объем, ТБ: 2 Тип памяти: 3D NAND TLC Максимальная скорость чтения, МБ/с: 14700 Максимальная скорость записи, МБ/с: 14000

Форм-фактор накопителя: M.2 2280 Номинальный объем, ТБ: 4 Тип памяти: 3D NAND Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7400 Максимальная скорость записи, МБ/с: 6500

Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4 Скорость: чтения до 14700 МБ/с, записи до 13400 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4 Скорость: чтения до 14200 МБ/с, записи до 11000 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм Ресурс: TBW 1000 ТБ; время наработки: 2000000 ч Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe

Форм-фактор накопителя: M.2 2280 Номинальный объем, ТБ: 2 Тип памяти: 3D NAND Максимальная скорость чтения, МБ/с: 14000 Максимальная скорость записи, МБ/с: 13000

Форм-фактор накопителя: M.2 2280 Номинальный объем, ГБ: 2000 Тип памяти: TLC Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7400 Максимальная скорость записи, МБ/с: 7000 Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1180 Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1440

Форм-фактор накопителя: M.2 2280 Номинальный объем, ТБ: 2 Тип памяти: 3D NAND Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7400 Максимальная скорость записи, МБ/с: 6400

Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4 Скорость: чтения до 2400 МБ/с, записи до 1800 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 3.13 мм Ресурс: TBW 520 ТБ; время наработки: 1500000 ч Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 7250 МБ/с, записи до 6900 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм Ресурс: TBW 1200 ТБ Память: тип NAND: TLC Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 6000 МБ/с, записи до 5000 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 3.13 мм Ресурс: TBW 640 ТБ; время наработки: 2000000 ч Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; совместим с PS5

Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 5000 МБ/с, записи до 4200 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм Ресурс: TBW 440 ТБ; время наработки: 1500000 ч Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM

Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 5000 МБ/с, записи до 4200 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 3.13 мм Ресурс: TBW 450 ТБ; время наработки: 1500000 ч Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; совместим с PS5

Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 7100 МБ/с, записи до 6000 МБ/с Форм-фактор: M.2 2230; разъем M.2; толщина 2.29 мм Ресурс: TBW 440 ТБ Память: тип NAND: TLC Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 6000 МБ/с, записи до 5000 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм Ресурс: TBW 640 ТБ; время наработки: 2000000 ч Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4 Скорость: чтения до 14700 МБ/с, записи до 13300 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.88 мм Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM; совместим с PS5

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4 Скорость: чтения до 14700 МБ/с, записи до 13300 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM; совместим с PS5

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.2 мм Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч Память: тип NAND: DRAM буфер Особенности: для геймеров; для ПК; NVMe; TRIM; совместим с PS5

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4 Скорость: чтения до 11000 МБ/с, записи до 9500 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.28 мм Ресурс: TBW 600 ТБ Память: тип NAND: TLC Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 500 ГБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4 Скорость: чтения до 3430 МБ/с, записи до 2600 МБ/с Форм-фактор: 2.5" SATA; разъем M.2; толщина 2.38 мм Ресурс: TBW 1000 ТБ; время наработки: 1750000 ч Память: тип NAND: TLC Особенности: для NAS, для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4 Скорость: чтения до 13600 МБ/с, записи до 10200 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 21 мм Ресурс: TBW 600 ТБ Память: тип NAND: TLC Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 5000 МБ/с, записи до 4200 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.15 мм Ресурс: TBW 450 ТБ; время наработки: 1500000 ч Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM

Объем: 500 ГБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4 Скорость: чтения до 3100 МБ/с, записи до 2600 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм Ресурс: TBW 300 ТБ; время наработки: 1500000 ч Память: тип NAND: TLC Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 7100 МБ/с, записи до 6700 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1750000 ч Память: тип NAND: QLC Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 1000 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 6000 МБ/с, записи до 4000 МБ/с Форм-фактор: M.2 2230; разъем M.2; толщина 2.3 мм Ресурс: TBW 320 ТБ; время наработки: 2000000 ч Память: тип NAND: TLC Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 7400 МБ/с, записи до 5500 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 4.3 мм Ресурс: TBW 740 ТБ; время наработки: 2000000 ч Память: DRAM буфер Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; совместим с PS5

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 7400 МБ/с, записи до 6000 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 10.65 мм Ресурс: TBW 780 ТБ; время наработки: 2000000 ч Память: DRAM буфер Особенности: для геймеров; для ПК; NVMe; совместим с PS5

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 7400 МБ/с, записи до 6000 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 3.13 мм Ресурс: TBW 780 ТБ; время наработки: 2000000 ч Память: DRAM буфер Особенности: для ПК; NVMe; совместим с PS5

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4 Скорость: чтения до 11000 МБ/с, записи до 9500 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 9.6 мм Ресурс: TBW 600 ТБ Память: тип NAND: TLC Особенности: для геймеров; для ПК; NVMe

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 7300 МБ/с, записи до 6000 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 10.8 мм Ресурс: TBW 750 ТБ; время наработки: 1600000 ч Память: тип NAND: TLC Особенности: для геймеров; для ПК; NVMe; TRIM

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 6000 МБ/с, записи до 4000 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 3.13 мм Ресурс: TBW 320 ТБ; время наработки: 2000000 ч Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; совместим с PS5

Объем: 1000 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 4700 МБ/с, записи до 2800 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.1 мм Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1600000 ч Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 5000 МБ/с, записи до 3200 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 3.13 мм Ресурс: TBW 250 ТБ; время наработки: 1500000 ч Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; совместим с PS5

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 6000 МБ/с, записи до 4500 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.15 мм Ресурс: TBW 320 ТБ; время наработки: 1500000 ч Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4 Скорость: чтения до 3000 МБ/с, записи до 2000 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.25 мм Ресурс: TBW 800 ТБ; время наработки: 1500000 ч Память: тип NAND: TLC Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 500 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 6800 МБ/с, записи до 5800 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм Ресурс: TBW 300 ТБ Память: тип NAND: TLC Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 500 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 7200 МБ/с, записи до 5700 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм Ресурс: TBW 300 ТБ Память: тип NAND: TLC Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; совместим с PS5

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 6000 МБ/с, записи до 4000 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм Ресурс: TBW 320 ТБ; время наработки: 2000000 ч Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 5000 МБ/с, записи до 4200 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм Ресурс: TBW 150 ТБ; время наработки: 1750000 ч Память: тип NAND: QLC Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4 Скорость: чтения до 3500 МБ/с, записи до 3000 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 4.85 мм Ресурс: TBW 760 ТБ; время наработки: 1800000 ч Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 512 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 7200 МБ/с, записи до 2600 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 4.3 мм Ресурс: TBW 370 ТБ; время наработки: 2000000 ч Память: DRAM буфер Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; совместим с PS5

Объем: 512 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 6200 МБ/с, записи до 2300 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.05 мм Ресурс: TBW 300 ТБ; время наработки: 1500000 ч Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; совместим с PS5

Объем: 500 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 5000 МБ/с, записи до 3000 МБ/с Форм-фактор: M.2 2230; разъем M.2; толщина 2.3 мм Ресурс: TBW 160 ТБ; время наработки: 2000000 ч Память: тип NAND: TLC Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 500 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 6600 МБ/с, записи до 3500 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.28 мм Ресурс: TBW 110 ТБ Память: тип NAND: TLC Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 500 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 5000 МБ/с, записи до 3000 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм Ресурс: TBW 160 ТБ; время наработки: 2000000 ч Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 500 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 5000 МБ/с, записи до 3000 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 3.13 мм Ресурс: TBW 160 ТБ; время наработки: 2000000 ч Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; совместим с PS5

Объем: 500 ГБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4 Скорость: чтения до 2300 МБ/с, записи до 1500 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм Ресурс: TBW 120 ТБ; время наработки: 1500000 ч Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM

Объем: 512 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 3600 МБ/с, записи до 3000 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 3.5 мм Ресурс: TBW 300 ТБ; время наработки: 1500000 ч Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 512 ГБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4 Скорость: чтения до 3500 МБ/с, записи до 2300 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 3.5 мм Ресурс: TBW 350 ТБ; время наработки: 1800000 ч Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM

Объем: 512 ГБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4 Скорость: чтения до 2100 МБ/с, записи до 1500 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 3.5 мм Ресурс: TBW 200 ТБ; время наработки: 1500000 ч Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 256 ГБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4 Скорость: чтения до 3500 МБ/с, записи до 1200 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 3.5 мм Ресурс: TBW 170 ТБ; время наработки: 1800000 ч Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM

Объем: 256 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4 Скорость: чтения до 3300 МБ/с, записи до 1300 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.2 мм Ресурс: TBW 150 ТБ; время наработки: 1500000 ч Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 256 ГБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4 Скорость: чтения до 2100 МБ/с, записи до 1300 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 3.5 мм Ресурс: TBW 170 ТБ; время наработки: 1500000 ч Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Объем: 120 ГБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4 Скорость: чтения до 1800 МБ/с, записи до 1250 МБ/с Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.8 мм Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe