N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V, 4-Pin SOT-227
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 72 A
Maximum Drain Source Resistance 75 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 600 V
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage 5V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1.04 kW
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Screw Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-227
Pin Count 4
Series HiperFET, Polar
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 240 nC @ 10 V
Width 25.07mm
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 72 A
Тип корпуса SOT-227B
Максимальное рассеяние мощности 1,04 кВт
Тип монтажа Panel Mount
Ширина 25.07мм
Высота 9.6мм
Размеры 38.2 x 25.07 x 9.6мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 38.2мм
Типичное время задержки включения 28 ns
Производитель IXYS
Типичное время задержки выключения 79 нс
Серия HiperFET, Polar
Мин. рабочая температура -55*С