N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 Channel Type N Maximum Continuous Drain Current 72 A Maximum Drain Source Resistance 75 mΩ Maximum Drain Source Voltage 600 V Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V Maximum Gate Threshold Voltage 5V Maximum Operating Temperature +150 °C Maximum Power Dissipation 1.04 kW Minimum Operating Temperature -55 °C Mounting Type Screw Mount Number of Elements per Chip 1 Package Type SOT-227 Pin Count 4 Series HiperFET, Polar Transistor Configuration Single Transistor Material Si Typical Gate Charge @ Vgs 240 nC @ 10 V Width 25.07mm Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный непрерывный ток стока 72 A Тип корпуса SOT-227B Максимальное рассеяние мощности 1,04 кВт Тип монтажа Panel Mount Ширина 25.07мм Высота 9.6мм Размеры 38.2 x 25.07 x 9.6мм Материал транзистора Кремний Количество элементов на ИС 1 Длина 38.2мм Типичное время задержки включения 28 ns Производитель IXYS Типичное время задержки выключения 79 нс Серия HiperFET, Polar Мин. рабочая температура -55*С
