Тип памяти DDR4
Форм-фактор SODIMM 260-контактный
Тактовая частота 2666 МГц
Пропускная способность 21300 МБ/с
Объем 1 модуль 16 ГБ
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 19
RAS to CAS Delay (tRCD) 19
Row Precharge Delay (tRP) 19
Activate to Precharge Delay (tRAS) 32
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.2 В
Количество ранков 2
Срок службы 12 мес.
Гарантийный срок 1 мес.